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UVLED通常是指發(fā)射中心波長(zhǎng)在400nm以下的LED，但當(dāng)發(fā)射波長(zhǎng)大于380nm時(shí)有時(shí)稱(chēng)為近紫外LED，而當(dāng)發(fā)射波長(zhǎng)短于300nm時(shí)稱(chēng)為深紫外LED。 由于短波光具有很高的殺菌作用，UVLED通常用于冰箱和家用電器的殺菌和除臭。
在產(chǎn)品方面，日亞化學(xué)工業(yè)推出了發(fā)射中心波長(zhǎng)在365nm至385nm范圍內(nèi)的品種，nitride semiconductor列出了發(fā)射中心波長(zhǎng)在355nm至375nm之間的品種。uv膠水固化
波長(zhǎng)小于300nm的深紫外LED的開(kāi)發(fā)也很活躍。2008年，物理化學(xué)研究所和松下電工宣布，使用基于GaN的半導(dǎo)體inalgan開(kāi)發(fā)了一種深紫外LED，其中心波長(zhǎng)為282nm，光輸出為10mW。 對(duì)于較短波長(zhǎng)的深紫外LED，NTT物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院采用aln材料來(lái)開(kāi)發(fā)中心發(fā)射波長(zhǎng)為210nm的深紫外LED。uvled固化
應(yīng)用程序
編輯
UV LED（uv led）主要用于生物醫(yī)學(xué)，防偽識(shí)別，凈化（水，空氣等），計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和 軍隊(duì)。 隨著技術(shù)的發(fā)展，新的應(yīng)用將繼續(xù)取代原來(lái)的技術(shù)和產(chǎn)品。UV LED具有廣闊的市場(chǎng)應(yīng)用前景。 例如，UV LED光療儀是未來(lái)非常流行的醫(yī)療設(shè)備，但目前的技術(shù)仍處于增長(zhǎng)期。
國(guó)產(chǎn)UV LED的發(fā)展?fàn)顩r
“十一五”國(guó)家863計(jì)劃新材料技術(shù)重大專(zhuān)項(xiàng)“半導(dǎo)體照明工程”課題“深UV LED的制備及應(yīng)用技術(shù)研究”經(jīng)過(guò)不斷研究，在高鋁 集團(tuán)在材料研究和設(shè)備應(yīng)用方面取得了重大突破。
半導(dǎo)體深UV源在照明，消毒，醫(yī)療，印刷，生化測(cè)試，高密度信息存儲(chǔ)和機(jī)密通信領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用價(jià)值。 以algan材料為有效區(qū)域的深紫外LED的發(fā)光波長(zhǎng)可以覆蓋210-365nm的紫外波段，是實(shí)現(xiàn)該深波段紫外led器件的乘積的理想材料，具有優(yōu)勢(shì) 其他傳統(tǒng)UV光源無(wú)法比擬的
在國(guó)家863計(jì)劃的支持下，項(xiàng)目研究團(tuán)隊(duì)專(zhuān)注于基于mocvd的深紫外LED材料和器件的研究，重點(diǎn)在于解決表面裂紋的存在，晶體質(zhì)量差，鋁成分低和 無(wú)法實(shí)現(xiàn)短波長(zhǎng)發(fā)光。 在結(jié)構(gòu)材料設(shè)計(jì)等問(wèn)題上，一些關(guān)鍵技術(shù)取得了突破，獲得了晶體質(zhì)量高，無(wú)裂紋的高鋁成分材料。 在此基礎(chǔ)上，受試者首次在國(guó)內(nèi)成功制備了300nm以下的紫外led器件深，實(shí)現(xiàn)了設(shè)備的毫瓦功率輸出，并開(kāi)發(fā)了深UV殺菌模塊，經(jīng)測(cè)試殺菌率達(dá)到95%以上 。